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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	生命周期状态	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	越来越多的功能	引脚数	外壳材料	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料																厂商																																		操作温度	包装	系列	尺寸/尺寸	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	终端	ECCN 代码	连接器类型	定位的数量	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	颜色	附加功能	紧固类型	子类别	额定功率	额定电流	最大功率耗散	技术	电压 - 供电	端子位置	方向	终端形式	屏蔽/屏蔽	峰值回流焊温度（摄氏度）	入口保护	Reach合规守则	频率	频率稳定性	基本部件号	输出量	外壳完成	引脚数量	外壳尺寸-插入	JESD-30代码	功能	基本谐振器	最大电流源	资历状况	输出类型	配置	通道数量	界面	弱电	最大电源电压	最小电源电压	最大额定电压（交流）	最大额定电流	负载电容	阻抗	元素配置	电缆长度	操作模式	功率耗散	外壳尺寸，MIL	投掷配置	箱体转运	最大额定电压（直流）	时钟频率	扩频带宽	接通延迟时间	功率 - 最大	最大反向漏电电流	场效应管类型	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	极性/通道类型	连续放电电流(ID)
MSCSM120HM16TBL3NG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	-	微芯片技术								150A	活跃	Bulk	1200 V	30 ns	1.8 V	560 W	N-Channel	+ 175 C	- 10 V, 23 V	- 55 C	1	螺钉安装	Microchip	微芯片技术	16 mOhms	Details	50 ns	150 A			-55°C ~ 175°C (TJ)		-								Dual Phase Leg SiC MOSFET Power Module									Discrete Semiconductor Modules				SiC																				Dual																				560W		6 N-Channel (Phase Leg)		16mOhm @ 80A, 20V	2.8V @ 6mA	6040pF @ 1000V	464nC @ 20V	30 ns	1200V (1.2kV)			Discrete Semiconductor Modules														Silicon Carbide (SiC)				功率MOSFET模块		Discrete Semiconductor Modules
MSCSM120AM042T6LIAG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	-	微芯片技术						495A (Tc)	活跃	Bulk	1200 V	56 ns	2.031 kW	N-Channel	+ 175 C	- 10 V, 23 V	- 40 C	1	螺钉安装	Microchip	微芯片技术	5.2 mOhms	Details	166 ns	495 A					-40°C ~ 175°C (TJ)		-								Phase Leg SiC MOSFET Power Module									Discrete Semiconductor Modules				SiC																				Dual																				2.031kW (Tc)		2 N Channel (Phase Leg)		5.2mOhm @ 240A, 20V	2.8V @ 18mA	18100pF @ 1000V	1392nC @ 20V	55 ns	1200V (1.2kV)			Discrete Semiconductor Modules														Silicon Carbide (SiC)				功率MOSFET模块		Discrete Semiconductor Modules
MSCSM120AM08T3AG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	-	微芯片技术								Bulk	活跃	337A (Tc)	1200 V	30 ns	1.8 V	1.409 kW	N-Channel	+ 175 C	- 10 V, 23 V	- 40 C	1	螺钉安装	Microchip	微芯片技术	7.8 mOhms	Details	50 ns	337 A			-40°C ~ 175°C (TJ)		-								Phase Leg SiC MOSFET Power Module									Discrete Semiconductor Modules				SiC																				Dual																				1.409kW (Tc)		2 N Channel (Phase Leg)		7.8mOhm @ 160A, 20V	2.8V @ 12mA	12100pF @ 1000V	928nC @ 20V	30 ns	1200V (1.2kV)			Discrete Semiconductor Modules														Silicon Carbide (SiC)				功率MOSFET模块		Discrete Semiconductor Modules
MSCSM120DDUM16TBL3NG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	-	微芯片技术								Bulk	活跃	150A	1200 V	30 ns	1.8 V	560 W	N-Channel	+ 175 C	- 10 V, 23 V	- 55 C	1	螺钉安装	Microchip	微芯片技术	16 mOhms	Details	50 ns	150 A			-55°C ~ 175°C (TJ)		-								Dual Common Source SiC MOSFET Power Module									Discrete Semiconductor Modules				SiC																				双共源																				560W		4 N-Channel, Common Source		16mOhm @ 80A, 20V	2.8V @ 6mA	6040pF @ 1000V	464nC @ 20V	30 ns	1200V (1.2kV)			Discrete Semiconductor Modules														Silicon Carbide (SiC)				功率MOSFET模块		Discrete Semiconductor Modules
MSCSM70AM19T1AG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	-	微芯片技术								Bulk	活跃	124A (Tc)	700 V	40 ns	1.9 V	365 W	N-Channel	+ 175 C	- 10 V, 23 V	- 40 C	1	螺钉安装	Microchip	微芯片技术	19 mOhms	Details	50 ns	124 A			-40°C ~ 175°C (TJ)		-								Phase Leg SiC MOSFET Power Module									Discrete Semiconductor Modules				SiC																				Dual																				365W (Tc)		2 N Channel (Phase Leg)		19mOhm @ 40A, 20V	2.4V @ 4mA	4500pF @ 700V	215nC @ 20V	40 ns	700V			Discrete Semiconductor Modules														Silicon Carbide (SiC)				功率MOSFET模块		Discrete Semiconductor Modules
FDD8424H-F085A	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	TO-252-4	Fairchild Semiconductor				--	Tube	9A, 6.5A	Obsolete							-55°C ~ 150°C (TJ)		*				活跃																																																									1.3W		N and P-Channel		24mOhm @ 9A, 10V	3V @ 250µA	1000pF @ 20V	20nC @ 10V		40V																	逻辑电平门
AOC2840	Alpha and Omega	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	16-SO	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Tape & Reel (TR)	Obsolete										8	-40°C ~ 85°C	Tube	--				Obsolete																		2.3 V ~ 5.5 V										PCA9672									Push-Pull			I²C														1MHz																															有	100µA, 25mA		POR
FDMD8260LET60	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	12-PowerWDFN	12-Power3.3x5	Fairchild Semiconductor	15A	活跃										Bulk	-55°C ~ 175°C (TJ)		PowerTrench®																																																													1.1W		2 N-Channel (Dual)		5.8mOhm @ 15A, 10V	3V @ 250µA	5245pF @ 30V	68nC @ 10V		60V																	Standard
SSD2007ATF	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC	Fairchild Semiconductor	2A	Obsolete										Bulk	-55°C ~ 150°C (TJ)		-																																																													2W		2 N-Channel (Dual)		300mOhm @ 1.5A, 10V	4V @ 250µA	-	15nC @ 10V		50V																	逻辑电平门
JANSF2N7586T1	Samtec	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Gold	30 AWG	铍铜													Round	IDT-IDT	-40 to 105 °C																Receptacle-Receptacle																																						0.508 m
APTM100A13SG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	SP6	微芯片技术	微芯片技术	POWER MOS 7	130 mOhms	Details	50 ns	65 A										65	Bulk	APTM100	65A	活跃	1 kV	9 ns	3 V	1.25 kW	N-Channel	+ 150 C	30 V	3.880136 oz	- 40 C	1	螺钉安装	Microchip	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-																	Discrete Semiconductor Modules			MOSFET (Metal Oxide)																				2 N-Channel (Half Bridge)	1 Channel												1.25								1250W				156mOhm @ 32.5A, 10V	5V @ 6mA	15200pF @ 25V	562nC @ 10V	9 ns	1000V (1kV)			Discrete Semiconductor Modules									Dual N					-			功率MOSFET模块		Discrete Semiconductor Modules	21.9 mm		108 mm	62 mm
APTM50AM24SG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Socket	底座安装	SP6	NO	8	SP6	7	SILICON	微芯片技术	MICROSEMI CORP	1.61	150 A					10 kΩ	Non-Compliant	150	Bulk	APTM50	150A	活跃	1	Microchip	微芯片技术	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	未说明	150 °C	有	APTM50AM24SG	RECTANGULAR	2	活跃	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-		e1	有			EAR99				锡银铜	70 °C	-45 °C					Discrete Semiconductor Modules			MOSFET (Metal Oxide)		UPPER		UNSPECIFIED		未说明		compliant							R-XUFM-X7			不合格		2 N-Channel (Half Bridge)						120 V	5 A					增强型MOSFET			单刀双掷	ISOLATED	28 V				1250W			SWITCHING	28mOhm @ 75A, 10V	5V @ 6mA	19600pF @ 25V	434nC @ 10V		500V	N-CHANNEL		Discrete Semiconductor Modules		11.5 mA			0.024 Ω	600 A		500 V	Dual N	110 V	1300 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		-					Discrete Semiconductor Modules
APTM100A13DG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	NO	SP6	4	SILICON	微芯片技术	2	活跃	MICROSEMI CORP	5.38	65 A							Compliant	11 V	65	Bulk	APTM100	65A	活跃	1	Microchip	微芯片技术	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	未说明	150 °C	有	APTM100A13DG	RECTANGULAR	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tape & Reel (TR)	-		e1	有			EAR99				锡银铜	150 °C	-65 °C			雪崩额定		Discrete Semiconductor Modules	1 W		MOSFET (Metal Oxide)		UPPER		UNSPECIFIED		未说明		compliant					4		R-XUFM-X4			不合格		2 N-Channel (Half Bridge)									20 Ω	共阳极		增强型MOSFET	1 W			ISOLATED					1250W	100 nA		SWITCHING	156mOhm @ 32.5A, 10V	5V @ 6mA	15200pF @ 25V	562nC @ 10V		1000V (1kV)	N-CHANNEL	11 V	Discrete Semiconductor Modules				5 %	0.156 Ω	240 A		1000 V	Dual N		1300 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		-					Discrete Semiconductor Modules				无铅
APTC80DDA15T3G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3	SP3	微芯片技术						Non-Compliant	28	Bulk	APTC80	28A	活跃	1	Microchip	微芯片技术					-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-																	Discrete Semiconductor Modules				MOSFET (Metal Oxide)																					2 N-Channel (Dual)			不适用																277W				150mOhm @ 14A, 10V	3.9V @ 2mA	4507pF @ 25V	180nC @ 10V		800V			Discrete Semiconductor Modules									Dual N					-						Discrete Semiconductor Modules
APTM50HM65FT3G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3	SP3	微芯片技术	+ 125 C	- 30 V, + 30 V	- 40 C	1	螺钉安装	Microchip	微芯片技术	Details										51	Bulk	APTM50	51A	活跃	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-								全桥									Discrete Semiconductor Modules				MOSFET (Metal Oxide)																					4 N-Channel (Half Bridge)											390								390W				78mOhm @ 25.5A, 10V	5V @ 2.5mA	7000pF @ 25V	140nC @ 10V		500V			Discrete Semiconductor Modules									Dual N					-				功率MOSFET模块		Discrete Semiconductor Modules
APTC60TAM35PG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	表面贴装	底座安装	SP6	4	SP6-P	微芯片技术			Compliant	72	Bulk	APTC60	72A	活跃	6	283 ns	1	Microchip	微芯片技术					-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-											85 °C	-40 °C					Discrete Semiconductor Modules			416 W	MOSFET (Metal Oxide)										50 ppm											6 N-Channel (3-Phase Bridge)			3.465 V	3.135 V			15 pF				416 W							21 ns	416W				35mOhm @ 72A, 10V	3.9V @ 5.4mA	14000pF @ 25V	518nC @ 10V	30 ns	600V			Discrete Semiconductor Modules	72 A		20 V				14 nF		Dual N					-	35 mΩ					Discrete Semiconductor Modules	1.4 mm		7 mm	5 mm
APTM100A13SCG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	NO	SP6	7	SILICON	微芯片技术	APTM100A13SCG	RECTANGULAR	2							65	Bulk	APTM100	65A	活跃	1	Microchip	微芯片技术	Details	活跃	MICROSEMI CORP	1.63	65 A	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	未说明	150 °C	有	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-		e1	有			EAR99				锡银铜					雪崩额定		Discrete Semiconductor Modules			MOSFET (Metal Oxide)		UPPER		UNSPECIFIED		未说明		compliant					7		R-XUFM-X7			不合格		2 N-Channel (Half Bridge)												增强型MOSFET	1.25			ISOLATED					1250W			SWITCHING	156mOhm @ 32.5A, 10V	5V @ 6mA	15200pF @ 25V	562nC @ 10V		1000V (1kV)	N-CHANNEL		Discrete Semiconductor Modules					0.156 Ω	240 A		1000 V	Dual N		1300 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		-					Discrete Semiconductor Modules
APTC60AM18SCG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	NO	SP6	7	SILICON	微芯片技术	UNSPECIFIED	未说明	150 °C	有	APTC60AM18SCG	RECTANGULAR	2	活跃	MICROSEMI CORP	5.23	143 A							143	Bulk	APTC60	143A	活跃	+ 150 C	- 30 V, + 30 V	- 40 C	1	螺钉安装	Microchip	微芯片技术	Details	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	FLANGE MOUNT	1	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	CoolMOS™		e1	有			EAR99		Half Bridge Module		锡银铜					雪崩额定	Discrete Semiconductor Modules				MOSFET (Metal Oxide)		UPPER		UNSPECIFIED		未说明		compliant					7	R-XUFM-X7				不合格		2 N-Channel (Half Bridge)												增强型MOSFET	833			ISOLATED					833W			SWITCHING	18mOhm @ 71.5A, 10V	3.9V @ 4mA	28000pF @ 25V	1036nC @ 10V		600V	N-CHANNEL		Discrete Semiconductor Modules					0.018 Ω	572 A		600 V	Dual N		1800 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-				功率MOSFET模块		Discrete Semiconductor Modules
APTC60AM24T1G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1	SP1	微芯片技术						95	Bulk	APTC60	95A	活跃	1	Microchip	微芯片技术	Details					-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-																	Discrete Semiconductor Modules				MOSFET (Metal Oxide)																					2 N-Channel (Half Bridge)											462								462W				24mOhm @ 47.5A, 10V	3.9V @ 5mA	14400pF @ 25V	300nC @ 10V		600V			Discrete Semiconductor Modules									Dual N					-						Discrete Semiconductor Modules
APTC60HM35T3G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3	SP3	微芯片技术	283 ns	72 A										72	Bulk	APTC60	72A	活跃	600 V	21 ns	2.1 V	416 W	N-Channel	+ 150 C	- 30 V, + 30 V	- 40 C	1	螺钉安装	Microchip	微芯片技术	35 mOhms	Details	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-								Half Bridge Module									Discrete Semiconductor Modules				MOSFET (Metal Oxide)																			4 N-Channel (Half Bridge)	1 Channel																				416W				35mOhm @ 72A, 10V	3.9V @ 5.4mA	14000pF @ 25V	518nC @ 10V	30 ns	600V			Discrete Semiconductor Modules									Dual N					-				功率MOSFET模块	Discrete Semiconductor Modules	11.5 mm		73.4 mm	40.8 mm
DMG6602SVTQ-7-52	Diodes	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26	PEI-Genesis				Bulk	活跃	DMG6602	3.4A (Ta), 2.8A (Ta)							-55°C ~ 150°C (TJ)		*																					MOSFET (Metal Oxide)																					N and P-Channel Complementary																			840mW (Ta)				60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V	2.3V @ 250µA	400pF @ 15V, 420pF @ 15V	13nC @ 10V, 9nC @ 10V		30V																	Standard
IRF640ACP001	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	德州仪器												Bulk	活跃	Non-Compliant				*
IRF630A_CP001	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	KYOCERA AVX								Bulk	活跃								*
APTC60DDAM35T3G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	面板安装	SP3	Flange	铝合金	SP3	ITT Cannon, LLC	活跃	Silver	72	72A								50V	Bulk	Metal	CA310	-55°C ~ 125°C		MIL-DTL-5015, CA-B					Crimp		Receptacle, Female Sockets		16				橄榄色			反向卡口锁	Discrete Semiconductor Modules		22A, 41A		MOSFET (Metal Oxide)			N (Normal)		-		IP67 - Dust Tight, Waterproof						橄榄色镉	24-7							2 N-Channel (Dual)												-							416W				35mOhm @ 72A, 10V	3.9V @ 5.4mA	14000pF @ 25V	518nC @ 10V		600V											Dual N					-					-	Discrete Semiconductor Modules					-
APTC80A15SCTG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	4-SMD, No Lead	SP4	SiTime						Strip	活跃	28	APTC80	28A	1	Microchip	微芯片技术	Details					-40°C ~ 85°C	Tube	SiT1602B	0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)							XO (Standard)									Discrete Semiconductor Modules				MOSFET (Metal Oxide)	2.25V ~ 3.63V								40.5 MHz	±20ppm		HCMOS, LVCMOS				Enable/Disable	MEMS	4.5mA			2 N-Channel (Half Bridge)																	-		277W				150mOhm @ 14A, 10V	3.9V @ 2mA	4507pF @ 25V	180nC @ 10V		800V			Discrete Semiconductor Modules									Dual N				-	-						Discrete Semiconductor Modules		0.031 (0.80mm)					-